北森瓦版 - Northwood Blog (Author : 北森四葉. Since July 10, 2006.)
GLOBALFOUNDRIES Launches Industry's First 22nm FD-SOI Technology Platform(techPowerUp!)
GlobalFoundries introduces 22nm FD-SOI process technologies(KitGuru)
GLOBALFOUNDRIES Launches Industry’s First 22nm FD-SOI Technology Platform(GlobalFoundries)

GlobalFoundriesは7月13日、次世代の接続機器に求められる超低消費電力の要求に合致する新しい半導体技術を発表した。この新しい半導体技術は“22FDX”プラットフォームと名付けられ、FinFETと同様の性能と電力効率を28nm planr technologyと同程度のコストで実現する。そして現在急速に拡大しているMobile機器やInternet-of-Things (IoT)、RF connectivity、ネットワーク市場に最適化したソリューションを提供することになる。
 
性能が追求されるような場合には3次元構造のFinFETトランジスタが必要になるが、多くのワイヤレスデバイスは性能と消費電力とコストのバランスがより求められる。22FDXは業界初の2次元22nm プロセスで完全空乏形SOI (Fully-deplted silicon-on-insulator, FD-SOI) を使用するものとなり、コストに敏感な用途では最適解となる。そして0.4Vという非常に低い動作電圧を実現し、動作時の電力を劇的に下げることができる。そして発熱も低くなるため、デバイスの小型化が可能となる。22FDXプラットフォームは28nmプロセスと比較しダイサイズは20%縮小、マスクは10%減少しており、液浸リソグラフィレイヤーはFinFETと比較すると50%近く少なくなっている。

22FDXのラインナップは以下となります。

22FD-ulpメインストリーム~低価格スマートフォン向け。
FinFETに代替しうる低消費電力を実現する。body-biasingを用いることにより、0.9V 28nm HKMGと比較して70%の消費電力削減が可能である。一方で性能はFinFETと同程度となる。
IoT用途では22FD-ulpで0.4V駆動が可能で、28nm HKMGと比較して90%の電力削減が可能である。
22FD-uhpanalog integrationを伴うネットワークアプリケーション向けで、FinFETと同等の高性能を実現することに最適化したプロセスである。一方で消費電力は最小限に押さえ込んでいる。
22FD-uhpのカスタマイズとしてはforward body-bias, アプリケーションに応じたmetal stackおして0.95V overdriveがある。
22FD-ullIoTやウェアラブル用にリーク電流を極限まで抑え鋳込んだものである。22FD-ulpと同じ能力を持ちながらも、リーク電力を1pa/umまで抑え込んだ。
低い動作電圧、低いリーク電力、柔軟性のあるbody-biasingにより、劇的に消費電力を抑え込み、バッテリ駆動のウェアラブルデバイスを新たな次元のものとする。
22FD-rfa50%の省電力化とシステムコストの削減を実現した、 radio frequency analogで、LTE-A cellular transciverや大容量MIMO WiFi コンボチップ、ミリ波レーダーなど大容量電波機器向け。


PC向けというより、Mobileデバイス以下の低消費電力・低コストが求められる用途に向けたプロセスとなっています。しかし、FD-SOIが製品として登場したというのは大きなニュースであり、今後PCで使われる高性能チップ用のプロセスにも応用される可能性はあるかもしれません(とりあえずGlobalFoundriesが用意する高性能チップ向けのプロセスはFinFETを用いた14nm LPPになるようだが)。



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コメント
この記事へのコメント
148982 
0.4Vってスゲーな
FPGAで1V切ってる電源は結構あるが、その半分か

これでCarrizo-Lをリファインするというのは良いアイデアだ
2015/07/14(Tue) 23:45 | URL | LGA774 #-[ 編集]
148989 
mobile apuとかに使ってくれないかなあ...
2015/07/15(Wed) 05:13 | URL | LGA774 #mQop/nM.[ 編集]
149007 
これでKabiniを・・・
2015/07/16(Thu) 21:18 | URL | LGA774 #-[ 編集]
149008 
こちらの日本語記事によると、FinFETとの組み合わせも視野に入れてますね。

2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始 (2/2)

http://eetimes.jp/ee/articles/1507/14/news128_2.html

|Bartlett氏は、「既に14nm、10nm世代までプレーナ型FD-SOIプロセスで実現可能なことを確認している」と語り、22nmにとどまらず、FD-SOIの微細化を進めていく方針。さらに、「10nmよりも微細な世代では、FD-SOIとFinFETを組み合わせた技術が有効になるかもしれない」とし、7nm、5nm世代など将来的な微細化に対しFD-SOIが有効な技術になる可能性も示唆した。
2015/07/16(Thu) 22:07 | URL | LGA774 #Q3pCjmGY[ 編集]
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